头像

孙斌讲师

未来科学与工程学院

学位：自然科学博士

办公地址：未来校区未来科创中心601

毕业院校：德国亚琛工业大学

联系电话：

电子邮箱：sunbin@suda.edu.cn

个人资料

  • 直属机构：未来科学与工程学院
  • 联系电话：
  • 性别：男
  • 电子邮箱：sunbin@suda.edu.cn
  • 专业技术职务：
  • 办公地址：未来校区未来科创中心601
  • 毕业院校：德国亚琛工业大学
  • 通讯地址：苏州市吴江区久泳西路1号
  • 学位：自然科学博士
  • 邮编：215222
  • 学历：
  • 传真：

教育经历

教育经历：
  • 博士, 2016.07-2022.03, 德国亚琛工业大学
  • 硕士, 2013.04-2016.02, 德国亚琛工业大学, 微电子与纳米电子
  • 本科, 2009.10-2013.01, 德国杜伊斯堡-艾森大学, 电气与电子工程
  • 本科, 2007.09-2013.01, 中国矿业大学, 电气工程与自动化

工作经历

工作经历：
  • 2022.05-2022.11, 阿斯麦(上海)光刻设备科技有限公司, 计算光刻, 产品工程师
  • 2015.09-2016.01, 英特尔半导体(大连)有限公司, 良率分析, 实习生
  • 2012.03-2012.06, odelo LED GmbH, 项目管理, 实习生

个人简介

个人简介：

孙斌，www.优德88.cpm 优秀青年学者，讲师。2022年以德国博士论文最优等级(summa cum laude)毕业于亚琛工业大学(RWTH Aachen University)，获自然科学博士学位(Dr. rer. nat.)。师从国际知名TFET器件专家Joachim Knoch教授，研究方向为后摩尔新型硅基场效应晶体管，集成电路制造，计算机工艺及器件模拟。近年来在IEEE TED, JVST-B, IEEE JMEMS, pss-a等微电子领域权威期刊发表学术论文7篇，其中一作文章4篇，并受邀担任IEEE JMEMS, Scientific Reports等期刊审稿人。获Borchers-Plakette奖章（德国优秀博士论文奖），主持国家自然科学基金-青年基金项目1项。


代表作:

  • B. Sun, B. Richstein, P. Liebisch, T. Frahm, S. Scholz, J. Trommer, T. Mikolajick, J. Knoch*, “On the Operation Modes of Dual-Gate Reconfigurable Nanowire Transistors,” in IEEE Transactions on Electron Devices, vol. 68, no. 7, pp. 3684-3689, July 2021, doi:10.1109/TED.2021.3081527.

  • B. Sun, T. Grap, T. Frahm, S. Scholz, J. Knoch*, “Role of electron and ion irradiation in a reliable lift-off process with electron beam evaporation and a bilayer PMMA resist system,” in Journal of Vacuum Science&Technology B, vol. 39, no. 5, pp. 052601, Sep. 2021, doi:10.1116/6.0001161.

  • B. Sun†, S. Scholz†, A. Kemper, T. Grap, J. Knoch*,“Modeling and Prediction of Hydrogen Morphological Evolution in Silicon Utilizing a Level-Set Approach,”in IEEE Journal of Microelectromechanical Systems, vol. 30, no. 6, pp. 950-957, Dec. 2021, doi:10.1109/JMEMS.2021.3115715.(†共同一作)


新闻报道:

注：Journal of Vacuum Science & Technology总主编Dr. Eray Aydil教授在twitter上推荐了关于改进电子束蒸发方面的工作。


链接：https://www.epowerjournal.com/2024/01/11/schottky-diode-drain-contact-interferences-with-sub-linearity/

社会职务

社会职务：

1. IEEE Electron Devices Society, 会员

2. Sigma Xi,会员

3. American Vacuum Society,会员

研究领域

研究领域：

主要研究领域：后摩尔新型硅基场效应晶体管，集成电路制造，计算机工艺及器件模拟。


1）可重构场效应晶体管；



2）改进电子束蒸发，提高剥离成形良率及器件质量；



3）湿法刻蚀制备三角形截面（具有原子级平整度）的硅纳米线；



4）水平集方法模拟高温氢气环境下硅结构的形貌变化；



5）非平衡格林函数研究晶体管中载流子的输运性质。

开授课程

开授课程：
  • 1、2023年春季学期, 《半导体器件物理》, 2021级
  • 2、2023年秋季学期, 《半导体物理及固体物理基础》, 2022级
  • 3、2024年春季学期, 《半导体器件物理》, 2022级
  • 4、2024年春季学期, 《工艺模拟与器件模拟》, 2021级
 课程教学：

科研项目

科研项目：
  • 1、三独立栅极场效应晶体管器件的载流子输运与调控机制研究, 2024.01-2026.12, 项目来源：国家自然科学基金-青年项目, 项目编号：62304147, 主持
  • 2、《半导体器件物理》课程教学模式创新研究与实践, 2023.07-2024.06, 项目来源：www.优德88.cpm 未来科学与工程学院教育教学改革研究课题, 重点项目, 主持
  • 3、亚琛工业大学精英大学项目"Matter and Light for Quantum Computing (ML4Q)", 2020.07-2022.03, 项目来源：德国科学基金会(DFG), 项目编号：EXC 2004/1–390534769, 参与
  • 4、ForMikro - SiGeSn-NanoFETs, 2020.07-2022.03, 项目来源：德国联邦教育与研究部(BMBF), 项目编号：16ES1075, 参与
  • 5、Ultra Low Power Elektronik mit Tunnel-Feldeffekttransistoren und darauf basierende Sensoranwendung, 2015, 项目来源：德国联邦教育与研究部(BMBF), 项目编号：16ES0060K, 参与

论文

论文：
  • 1、"Lateral Electrochemical Metallization Cells for Reconfigurable Interconnect Systems", IEEE Journal of the Electron Devices Society, July 2023, T. Frahm*, M. Buttberg, G. Gvozdev, R. A. Müller, S. Chen, B. Sun, L. Raffauf, S. Menzel, I. Valov, D. Wouters, R. Waser, J. Knoch, vol. 11, pp. 432-437, doi: 10.1109/JEDS.2023.3297855.
  • 2、"Sub-Linear Current Voltage Characteristics of Schottky-Barrier Field-Effect Transistors", IEEE Transactions on Electron Devices, May 2022, Joachim Knoch*, Bin Sun, vol. 69, no. 5, pp. 2243-2247, doi: 10.1109/TED.2022.3161245.
  • 3、"Modeling and Prediction of Hydrogen-Assisted Morphological Evolution in Silicon Utilizing a Level-Set Approach", IEEE Journal of Microelectromechanical Systems, Dec. 2021, B. Sun†, S. Scholz†, A. Kemper, T. Grap, J. Knoch*, vol. 60, no. 6, pp. 950-957, doi: 10.1109/JMEMS.2021.3115715. (†共同一作)
  • 4、"Role of electron and ion irradiation in a reliable lift-off process with electron beam evaporation and a bilayer PMMA resist system", Journal of Vacuum Science & Technology B, Sep. 2021, B. Sun, T. Grap, T. Frahm, J. Knoch*, vol. 39, no. 5, pp. 052601, doi: 10.1116/6.0001161.
  • 5、"On the Operation Modes of Dual-Gate Reconfigurable Nanowire Transistors", IEEE Transactions on Electron Devices, July 2021, B. Sun, B. Richstein, P. Liebisch, T. Frahm, S. Scholz, J. Trommer, T. Mikolajick, J. Knoch*, vol. 68, no. 7, pp. 3684-3689, doi: 10.1109/TED.2021.3081527.
  • 6、"Spin qubits confined to a silicon nano-ridge", Applied Sciences, Sep. 2019, J. Klos†, B. Sun†, J. Beyer, S. Kinder, L. Hellmich, J. Knoch, L. Schreiber*, vol. 9, no. 18, pp. 3823, doi: 10.3390/app9183823. (†共同一作)
  • 7、"Employing CMOS technology on silicon for a scalable electron-spin qubit architecture", Bulletin of the American Physical Society, Mar. 2021, Jan Klos, Bin Sun, Jacob Beyer, Sebastian Kindel, Lena Hellmich, Joachim Knoch, Lars Schreiber, vol. 2021, pp. A30. 004.
  • 8、"Alternatives for Doping in Nanoscale Field-Effect Transistors", physica status solidi (a), Jan. 2018, F. Riederer, T. Grap, S. Fischer, M. Müller, D. Yamaoka, B. Sun, C. Gupta, K. Klaus, J. Knoch*, vol. 215, no. 7, pp. 1700969, doi: 10.1002/pssa.201700969.

科技成果

软件著作 软件著作： 专利 专利：

荣誉及奖励

荣誉及奖励：
  • 1、Borchers-Plakette奖章, 颁奖单位：德国亚琛工业大学
  • 2、www.优德88.cpm 优秀青年学者
  • 3、国家建设高水平大学公派研究生奖学金, 资助方：国家留学基金委
  • 4、德意志奖学金(Deutschlandstipendium), 资助方：德国联邦教育与研究部(BMBF) 50%，德国工程师协会(VDI)鲁尔区分会 50%
  • 5、北莱茵-威斯特法伦州奖学金(NRW-Stipendienprogramm), 资助方：德国北莱茵-威斯特法伦州科学与技术部 50%，德国工程师协会(VDI) 50%
  • 6、杰出本科毕业生(herausragender Abschluss), 颁奖单位：德国杜伊斯堡-埃森大学工学院
  • 7、校级优秀学生奖学金, 资助方：中国矿业大学

招生信息

招生信息：

具备学术型、专业型硕士研究生指导资格，热忱欢迎对后摩尔新型硅基场效应晶体管、集成电路制造、计算机工艺及器件模拟方向感兴趣的同学加入！

E-mail:sunbin@suda.edu.cn



 招生信息1：

928访问

相关教师