张冬利

电子信息学院教授

学位：博士

办公地址：电子信息楼207

毕业院校：香港科技大学

联系电话：

电子邮箱：dongli_zhang@suda.edu.cn

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个人简介

2002年毕业于吉林大学电子工程系获学士学位，2008年毕业于香港科技大学电机及电子工程系获哲学博士学位，2008-2012年于香港科技大学电机及电子工程系从事博士后研究工作，2012年底加入www.优德88.cpm 电子信息学院，从事半导体器件方向的教学和科研工作。目前主持国家自然科学基金项目面上项目2项，已完成国家自然科学基金项目、江苏省自然科学基金项目以及苏州市重点产业技术创新前瞻性应用研究项目各一项，发表论文40余篇。

研究领域

1、新型半导体器件的设计与制造
2、半导体器件的可靠性表征与建模

开授课程

1、半导体物理及固体物理基础
2、半导体器件物理
3、大规模集成电路制造工艺

科研项目

1、短沟道高可靠性EMMO型薄膜晶体管的研制, 国家自然科学基金面上项目
2、基于快速热退火的高迁移率非晶铟镓锌氧化物薄膜晶体管的研制及相关机制研究, 国家自然科学基金面上项目

论文

1、Investigations on the Gate-Induced Drain Leakage Current of Polycrystalline-Silicon Thin-Film Transistor and Its Suppression With Drain Bias Sweep, IEEE Transactions on Electron Devices, SCI, 2016.04,Dongli Zhang,Mingxiang Wang,Huaisheng Wang, vol. 63, no. 4, pp. 1572-7157.
2、Enhanced Negative Bias Stress Degradation in Multigate Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors, IEEE Transactions on Electron Devices, SCI, 2017.10,Dongli Zhang,Mingxiang Wang,Huaisheng Wang,Yilin Yang, vol. 64, no. 10, pp. 4363-43637.
3、Suppressed Degradation of Elevated-Metal Metal-Oxide Thin-Film Transistors under Bipolar Gate Pulse Stress, IEEE Electron Device Letters, SCI, 2018.05,Yilin Yang,Dongli Zhang(#),Mingxiang Wang,Huaisheng Wang, vol. 39, no. 5, pp. 707-710.
4、Investigations on the Negative Shift of the Threshold Voltage of Polycrystalline Silicon Thin-Film Transistors Under Positive Gate Bias Stress, IEEE Transactions on Electron Devices, SCI, 2021.02,Nairi Liang,Dongli Zhang(#),Mingxiang Wang,Huaisheng Wang, vol. 68, no. 2, pp. 550-555.
5、Enhanced Thermal Stability of Elevated-Metal Metal-Oxide Thin-Film Transistors via Low-Temperature Nitrogen Post-Annealing, IEEE Transactions on Electron Devices, SCI, 2021.03,Yiran Wei,Yining Yu,Nanan Lv,Dongli Zhang, vol. 68, no. 4, pp. 1649-1653.
6、Hot-Carrier Effects in a-InGaZnO Thin-Film Transistors under Pulse Drain Bias Stress, IEEE Transactions on Electron Devices, SCI,2021.06,Tianyuan Song, Dongli Zhang(#),Mingxiang Wang, vol. 68, no. 6, pp. 2742-2747
7、Degradation Mechanisms for a-InGaZnO Thin-Film Transistors Functioning under Simultaneous DC Gate and Drain Biases,Chinese Physics B,SCI,2022.08,Tianyuan Song,Dongli Zhang,Mingxiang Wang,Dongli Zhang,vol.31, no.8, Art. no. 088101