个人资料
- 直属机构：光电科学与工程学院
- 联系电话：65113371
- 性别：女
- 电子邮箱：bingcao@suda.edu.cn
- 专业技术职务：
- 办公地址：校本部逸夫楼 光电学院309
- 毕业院校：中国科学院上海光学精密机械研究所
- 通讯地址：苏州市十梓街1号 www.优德88.cpm 光电科学与工程学院
- 学位：博士
- 邮编：215006
- 学历：研究生
- 传真：
教育经历
教育经历：
- 硕士研究生,1992.09-1995.07,材料,西安交通大学,硕士,1995,西安交通大学
- 本科,1988.09-1992.07,材料,西安交通大学,学士,1992,材料,西安交通大学
- 博士研究生,1995.09-1998.07,材料,中国科学院 上海光学精密机械研究所,博士,1998.07,中国科学院
工作经历
工作经历：
- 1999.02-2001.02,荷兰，应用www.优德88.cpm 中心，应用物理研究所，（TNO Institute of Applied Physics, The Netherland Organization for Scientific Research）,博士后
- 2001.11-2003.04,日本，千叶大学(Chiba University)，先进电子与光电子研究中心,博士后，非常勤讲师，
- 2003.05-2005.04,日本科学技术振兴事业团--战略创造研究推进事业部,项目特聘研究员
- 2005.05-2006.12,北京瑞源固态照明科技有限公司
- 2007.01-至今,www.优德88.cpm 光电科学与工程学院,副教授、教授
个人简历
个人简介：
曹冰，www.优德88.cpm 光电科学与工程学院教授，博士生导师。
1998年于中科院上海光机所获博士学位。1999-2000年荷兰应用www.优德88.cpm 中心-应用物理研究所博士后。2001-2003年日本千叶大学先进电子与光电子研究中心，博士后。2003-2005年日本科学技术振兴事业团，战略创造研究推进事业部，项目特聘研究员，参加超高速、省电力高性能纳米器件/系统研发项目。2007年加入www.优德88.cpm 至今，现为www.优德88.cpm 光电科学与工程学院教授。
近年来主要研究方向为微纳光学及第三代半导体光电子材料生长与器件制备，围绕人工微纳结构调控宽禁带半导体的材料生长与发光特性开展研究，包括半导体发光量子结构与表面界面调控、基于二维晶体材料的生长，以及宽禁带半导体异质结制备及光电特性调控研究。近年来围绕二维材料与氮化物主题在ACS Nano、ACS Applied Materials & Interface、Applied Physics Letters、Journal of Alloys and Compounds等杂志共发表学术论文60余篇。
研究领域
研究领域：
1、第三代半导体光电子材料生长与器件制备
2、半导体LED及Micro-LED出光特性调控及光量子效率研究
3、微纳光学
开授课程
开授课程：
课程教学：
科研项目
科研项目：
- 1、基于表面微纳结构的GaN基发光器件光输出特性调控研究,-2019.12,2016.01,曹冰,国家自然科学基金--面上项目,61574097
- 2、激光照明与通信融合应用关键技术研究,-2025.06,2021.06,曹冰,江苏省科技计划重点项目（产业前瞻与关键核心技术）－课题,BE2021008-3
- 3、表面微纳光栅对InGaN/GaN量子阱LED偏振特性和出光效率的影响研究,-2010.12,2008.01,曹冰,国家自然科学基金--面上项目,60776065
- 4、晶体缺陷及表面与界面态对Micro-LED性能影响的研究,-2024.12,2021.01,曹冰,江苏第三代半导体研究院
- 5、二维晶体材料上低缺陷密度氮化镓生长及物性研究,-2022.12,2018.01,主要参与,国家自然科学基金--重点项目,61734008
- 6、基于GaN衬底的同质外延LED偏振出光器件研究,-2013.06,2011.07,曹冰,苏州市科技应用基础研究项目,苏州市SYG201110
- 7、微纳光学结构集成的GaN基LED出光特性和机理研究,-2014.06,2011.07,曹冰,江苏省自然科学基金,江苏省BK2011278
- 8、大尺寸、极低缺陷密度GaN单晶衬底制备,-2020.12,2017.07,主要参与,科技部国家重点研究计划--战略性先进电子材料重点专项,2017YFB0404100
论文
论文：
- 1、Study on nucleation and growth mode of GaN on patterned graphene by epitaxial lateral overgrowth, Crystal Growth & Design,Crystal Growth & Design,2023,23, pp5541-5547
- 2、Modulation of Remote Epitaxial Heterointerface by Graphene-Assisted Attenuative Charge Transfer,ACS Nano,2023,17, pp4023-4033
- 3、Growth mechanism of exfoliable GaN by van der Waals epitaxy on wrinkled hexagonal boron nitride,Crystal Growth & Design,2023,23, pp2196-2202
- 4、A self-disappear-mask for epitaxial lateral overgrowth of GaN films,Journal of Crystal Growth,2023,610 (2023), 127149
- 5、Optical and microstructural characterization of Micro-LED with sidewall treatment,Journal of Physics D: Applied Physics,2022,55 (2022), 435103
- 6、Optical properties of AlGaN-based deep-ultraviolet LED materials grown on graphene/SiC,Materials Letters,2022,317 (2022), 132104
- 7、Long-Range Orbital Hybridization in Remote Epitaxy: The Nucleation Mechanism of GaN on Different Substrates via Single-Layer Graphene,ACS Applied Materials and interfaces,2022,14, 2263-2274
- 8、Direct van deer Waals epitaxy of multiband-emitting InGaN-based LEDs on graphene for phosphor-free white light illumination,Journal of Alloys and Compounds,2022,902 (2022), 163712
- 9、Microstructural and optical properties of stress-free GaN films on graphene prepared by PECVD,Japanese Journal of Applied Physics,2021, 60(3): 035502
- 10、Electrochemical liftoff of freestanding GaN by a thick highly conductive sacrificial layer grown by HVPE,Chinese Physics B (Chin. Phys. B),2021,30(6): 067306
- 11、ouble-triangular whispering-gallery mode lasing from a hexagonal GaN microdisk grown on graphene,Journal of Materials Science & Technology,2020,53 (2020), 140-145
- 12、Direct van der Waals epitaxy of stress-free GaN films on PECVD grown graphene,Journal of Alloys and Compounds,2020,844 (2020), 155870
- 13、Origin of microstructural defects in single-crystalline films van der Waals epitaxy on graphene,Journal of Crystal Growth,2020,536(2020), 125588
- 14、Evolution of morphology and defects of graphene with growth parameters by PECVD,Mater. Res. Express,2020,7 (2020) 035025
- 15、Temperature dependence of Raman scattering in defect-free AlN nanorods grown on multilayer graphene by van der Waals epitaxy,Mater. Res. Express,2020,7 (2020), 025039
- 16、A self-assembled graphene nanomask for the epitaxial growth of nonplanar and planar GaN,CrystEngComm,2019,21, 6109–6117
- 17、In-plane misfits localization in GaN via graphene ELOG technology,CrystEngComm,2019,21, 902–907
- 18、The interface of epitaxial nanographene on GaN by PECVD,AIP Advances,2019,095060 (2019)
- 19、Transferable GaN Films on Graphene/SiC by van der Waals Epitaxy for Flexible Devices,Phys. Status Solidi A,2019,2019, 1801027
- 20、Microstructural and optical properties of GaN buffer layers grown on graphene,Japanese Journal of Applied Physics,2018,57, 085502
- 21、Growth Model of van der Waals Epitaxy of Films: A Case of AlN Films on Multilayer Graphene/SiC,ACS Applied Materials and interfaces,2017,9, pp44001-44009
- 22、Metasurface integrated high energy efficient and high linearly polarized InGaN-GaN light emitting diode,Nanoscale,2017,9, 9104
- 23、Evolution of TDs in GaN ELOG on GaN templates using self-organized graphene as a nano-mask,Applied Physics Letters,2017,111, 102105 (2017)
- 24、All-metal flexible large-area multiband waveplate,Optics Express,2017,25(7), pp8245-8254
- 25、High linearly polarized white light emission from InGaN light-emitting diode with nano-gratings integrated fluorescent ceramics,Applied Physics Express,2017,10, 012101 (2017)
- 26、Growth of low threading dislocation density GaN on graphene by Hydride Vapor Phase Epitaxy,Japanese Journal of Applied Physics,2017,56, 030308 (2017)
- 27、All-dielectric metasurface circular dichroism waveplate, Scientific Reports,2017, 7:41893, 2017
- 28、Design and fabrication of silicon-based linear polarizer with multilayer nano-gratings operating in infrared region,Optical Engineering,2017,56(1), 017111, 2017
- 29、Graphene-based optical absorbers in middle-infrared wavelengths,Proc. of SPIE,2017,Vol. 10244, 2017, 1024426
- 30、Stress analysis of transferable crack-free Gallium nitride microrods grown on graphene/SiC substrate,Materials Letters,2016,185 (2016) 315–318
- 31、Raman spectra investigation of the defects of chemical vapor deposited multilayer graphene and modified by oxygen plasma treatment,Superlattices and Microstructures,2016,99 (2016) 125-130
- 32、High linearly polarized light emission from GaN-based light-emitting diode with multilayer dielectric/metal wire-grid structure, Applied Physics Letters,2014,105 (15), 151113 (2014)
科技成果
软件著作
软件著作：
专利
专利：
- 1、石墨烯/介质材料为复合衬底的三族氮化物微米柱结构及制备方法,201710104757.9,曹冰，赵恩，漆林，李宗尧，杨松，王钦华,发明,授权
- 2、一种表面改性的氮化物半导体及其制备方法,ZL 201611229170.2,曹冰，李宗尧，赵恩，杨松，刘伊，吴竹慧，王钦华,发明,授权
- 3、一种偏振出光发光二极管,ZL 201410094597.0,曹冰，邢贺，张桂菊，王钦华,发明,授权
- 4、一种纳米颗粒阵列的偏振出光发光二极管,ZL201310144195.2,曹冰，邢贺，张桂菊，王钦华，俞强，何舜宇,发明,授权
- 5、一种多彩变换光纤照明系统,ZL 201110194441.6,曹冰，黄奎，许峰，王钦华，王建峰，任国强，徐科,发明,授权
- 6、偏振出光发光二极管,ZL200910033968.3,曹冰，张桂菊，韩琴，王钦华,发明,授权
- 7、一种氧化锌基有机/无机杂化纳米结构太阳电池,ZL200910031366.4,曹冰，韩琴，张桂菊,发明,授权
- 8、III-V族氮化物基有机/无机杂化纳米结构太阳电池,ZL200910029602.9,曹冰,发明,授权
- 9、一种用于车灯的大视场物方远心投影成像方法及镜头,2023110126378,曹冰，江河，吴云鹏,发明,受理
- 10、一种基于图案化石墨烯掩膜制备氮化镓薄膜的方法,2023104356847,曹冰，陶家豪，李建洁，蔡鑫,发明,受理
- 11、一种基于图案化石墨烯掩膜制备氮化镓薄膜及 Micro-LED 器件的方法,2023104356565,曹冰，李建洁，蔡鑫，陶家豪,发明,受理
- 12、一种Micro-LED器件制备方法,202210731564.7,曹冰，杨帆，蔡鑫,发明,受理
- 13、一种micro-LED芯片单体器件的制备方法、显示模块及显示装置,202110657401.4,曹冰，杨帆，蔡鑫,发明,受理
- 14、一种用自消失的石墨烯掩膜生长氮化镓的方法,202110345111.6,曹冰，陈王义博，徐立跃，李路，杨帆,发明,受理
- 15、一种六方氮化硼上生长氮化镓的方法,202110300393.8,曹冰, 徐立跃, 王钦华, 陈王义博, 李路, 杨帆, 蔡鑫, 李建洁, 陶佳豪,发明,受理
- 16、一种用石墨烯掩膜生长氮化镓的方法,202010546964.1,曹冰，陈王义博，徐立跃，李路，杨帆,发明,受理
- 17、一种半导体六边形微米碟激光器,202010079229.4,曹冰，何耿，王钦华，熊先杰，袁志豪，周浩，罗安林，陈王义博，徐立跃，杨帆，李路,发明,受理
- 18、一种应用于石墨烯上的柔性GaN基MIS器件及其制备方法,202010079228.X,曹冰，周浩，王钦华,发明,受理
- 19、双三角回音壁光谐振模式的半导体六边形微米碟激光器,201911124274.0,曹冰，何耿，王钦华，熊先杰，袁志豪，周浩，罗安林，陈王义博，徐立跃，杨帆，李路,发明,受理
荣誉及奖励
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