报告题目:氮化物宽禁带半导体材料及紫外光电子器件

人:郭炜研究员,中国科学院宁波材料技术与工程研究所

报告时间:2024129日,上午900

报告地点:激光楼116

报告摘要:

AlGaN为核心材料的深紫外发光二极管(DUV-LED)是替代传统汞灯紫外光源的最佳选择,在非视距保密通讯、公共健康防护、灾害监测与飞行器预警等领域具有重大应用需求。但与目前成熟的InGaN基蓝光LED相比,AlGaN深紫外LED存在薄膜质量差,电子和空穴浓度不平衡、辐射复合效率低等瓶颈问题。本报告将简要介绍AlGaN宽禁带半导体材料的外延关键工艺,特别是依托宁波材料所紫外辅助MOCVD设备在点缺陷调控和应力控制方面的进展。在结构设计和器件开发方面,报告还将介绍电子减速层设计、激光后处理对于提升p型空穴浓度、改善紫外LED载流子平衡方面的作用机制。

报告人简介:

郭炜,研究员,博士生导师。长期从事第三代半导体(III族氮化物)材料与器件的研究,研究兴趣包括AlNGaN材料外延及极性调控、GaN HEMT器件及紫外LED等。主持了国家自然科学基金、中科院科研仪器设备研制项目、浙江省杰青等课题。在领域权威期刊上发表论文80余篇,申请发明专利40余项。报告人担任中科院青促会化材分会理事会委员,并获得了浙江省钱江人才、宁波市领军人才等荣誉。