个人信息：

www.优德88.cpm ，物理科学与技术学院

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教育及工作经历

2020/11-至今 www.优德88.cpm 物理科学与技术学院 优秀青年学者/特聘副教授

2016/09-2020/06电子科技大学 电子科学与工程学院 微电子学与固体电子学

2015/09-2016/06电子科技大学 微电子与固体电子学院 材料科学与工程

2011/09-2015/06电子科技大学 微电子与固体电子学院 电子科学与技术

研究方向及简介

硕/博阶段师从于李言荣院士/熊杰长江学者特聘教授，致力于研究光电转化器件并设计功能化集成系统。立足工学，探索与物理学、材料学、电子科学与以及计算机科学方向的交叉，努力实现钙钛矿及其他新兴半导体基器件的应用，并实现原型机的构建。目前已在Adv. Mater., Adv. Energy Mater.，Adv. Functional Mater.等国际知名期刊发表论文十余篇，其中ESI高被引论文2篇，他引500余次，主持并结题四川省科技支撑计划一项，申请发明专利十余项，获电子科技大学优秀博士毕业论文/2020年中国电子学会优秀博士论文。

研究方向：

钙钛矿及其他新兴半导体光电转换器件

包括：太阳能电池、光探测器、光调制器、光雷达

代表作：

[1]H. Sun, K. Deng, Y. Zhu, et al. A novel conductive mesoporouslayer with a dynamic two-step deposition strategy boosts efficiency ofperovskite solar cells to 20% [J]. Advanced Materials, 2018, 30(28): 1801935 (IF=27.40)

[2]H. Sun, W. Tian, F. Cao, etal. Ultrahigh-performance self-powered flexible double-twisted fibrous broadbandperovskite photodetector [J]. Advanced Materials, 2018, 30(21): 1706986 (IF=27.40)

[3]H. Sun, W. Tian, X. Wang, et al. In situ formedgradient bandgap-tunable perovskite for ultra-high speed color/spectrum-sensitivephotodetectors via electron-donor control [J]. Advanced Materials, 2020,32(14): 1908108 (IF=27.40)

[4]H. Sun, K. Deng, J. Xiong, etal. Graded bandgap perovskite with intrinsic n–p homojunction expands photonharvesting range and enables all transport layer-free perovskite solar cells[J]. Advanced Energy Materials, 2020, 10(8): 1903347 (IF=25.25)

[5]H. Sun, Y. Zhou, Y. Xin, et al. Composition andenergy band–modified commercial FTO substrate for in situ formed highlyefficient electron transport layer in planar perovskite solar cells [J]. AdvancedFunctional Materials, 2019, 29(11): 1808667 (IF=16.84)

[6]熊杰，孙浩轩，等.一种柔性自驱动的宽光谱光电探测器及其制备方法[P].中国，发明专利，专利号：ZL201810198343.1,2019. 08. 13

[7]熊杰，孙浩轩，等.基于介孔导电层衬底的钙钛矿太阳能电池及其制备方法[P].中国，发明专利，专利号：ZL201810366137.7,2020. 02. 18

[8]熊杰，孙浩轩，等.一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法[P].中国，发明专利，专利号：ZL201910025423.1,2020. 03. 27

[9]熊杰，孙浩轩，等.一种基于反溶剂动态旋涂制备钙钛矿薄膜的方法[P].中国，发明专利，专利号：ZL201810366519.X,2020. 05. 12

[10]熊杰，孙浩轩，晏超贻，等.一种基于水平连续渐变的平面钙钛矿薄膜的制备方法及其应用[P].中国，发明专利，申请号：202010069015.9, 2020. 01. 21